- GaN on Si 기반, 대구경 Wafer Level CSP LED 아키텍처 및 제품 설계
- Wafer Level 재배선 및 Metal/Solder Bump 도금 공정 개발
- Wafer Level Molding, Wafer Bonding, 미세 평탄화 가공, Narrow Dicing 공정 기술 개발
- 1st/2nd Level PKG 기술 및 SMT 기술 개발
- 대구경 Wafer Warpage 제어 및 소재 물성/분석 기술 개발
경력 및 자격요건
□ GaN on Si Wafer Level LED 소자 및 제품 개발
- 대구경 Wafer Level CSP 개발 경력 및 LED 소자/PKG 개발 경력
□ Wafer Level Interconnection 및 Metal/Solder 도금 공정 개발 경력
- Wafer Level Cu 재배선 혹은 Cu Pillar Bump 공정 개발 경력
□ 대구경 Wafer 제어 기술 : Wafer Level Molding, Bonding, 평탄화, Dicing 기술 개발 경력
- Wafer Level Molding 공정 및 Molding 소재 개발
- Wafer to Wafer Bonding 및 Adhesive 소재 개발
- Wafer Level Blade 및 Laser 미세 Pattern Dicing 가공 기술 개발
□ 경력 11 ~ 16년
기타
- 원서 마감후 1차(서류) 합격자에 한하여 개별연락
- 이력서에 연락처, 희망연봉 게재
- 해외여행에 결격 사유가 없는 자
담당업무
입사지원
돌아가기
02-6281-5082
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