1) 반도체 박막 성장 및 평가 관련 Project Leader로써의 업무
2) GaN EPI나 Bulk 단결정 성장관련 박막성장 장비의 주요 특성 설계 및
적용 Gas 특성 평가, R&D 업무
경력 및 자격요건
1) 물리,재료부문 또는 GaN EPI/Bulk 단결정 성장 분야 관련 박사학위 소지자
2) 반도체 박막성장 또는 GaN EPI/Bulk 단결정 성장 분야 기업, 연구소 경력자로써
특히 CVD나 HVPE 성장 장비 이용 경험자 우대
3) Epi Wafer Growing 업무 경험 5년이상자
4) 박막 성장 및 평가 관련 반도체 장비업체 R&D Engineer 경력 5년 이상자
5) 나이: 30대 초반~40대초반, 직급 : 면접시 협의
기타
- 원서 마감후 1차(서류) 합격자에 한하여 개별연락
- 이력서에 연락처, 희망연봉 게재
- 해외여행에 결격 사유가 없는 자